據(jù) Wccftech報道，近日 KAIST 韓國科學(xué)技術(shù)院的教授 Kim Joungho 在本月早些時候的一次講座中，介紹了從 HBM4 到 HBM8 的路線圖。大概介紹了未來幾代高帶寬內(nèi)存（HBM）的主要性能指標(biāo)、特性和推出時間等。
HBM4 將是 2026 年 AI GPU 的首選，AMD 和英偉達(dá)都確認(rèn)了會在下一代產(chǎn)品中引入。
到了 HBM5，接口將進(jìn)一步提高到 4096-bit，總帶寬則提高到 4TB/s，采用 16 層 DRAM 堆棧，芯片容量為 40Gb，單個堆棧容量為 80GB；HBM6 保持 4096-bit 接口，傳輸速度提升至 16Gb/s，從而讓總帶寬提高到 8TB/s，支持 16 層和 20 層 DRAM 堆棧配置，芯片容量為 48Gb，單個堆棧容量為 96/120GB；HBM7 將接口和傳輸速度再一次提升，達(dá)到 8192-bit 和 24Gb/s，支持 20 層和 24 層 DRAM 堆棧配置，芯片容量為 64Gb，單個堆棧容量為 160/192GB，總帶寬提高到 24TB/s；HBM8 的目標(biāo)是 16384-bit 接口，傳輸速度為 32Gb/s，支持 20 層和 24 層 DRAM 堆棧配置，芯片容量為 80Gb，單個堆棧容量為 200/240GB，總帶寬提高到 64TB/s。
