近日臺積電（TSMC）舉辦了 2025 年北美技術(shù)論壇，公布了下一代 A14 制程工藝，旨在通過提供更快的計算和更高的能效來推動人工智能（AI）轉(zhuǎn)型。臺積電稱，A14 制程工藝計劃 2028 年投產(chǎn)，目前的開發(fā)進展順利，良品率比預期的要高。按照過去的說法，雖然臺積電在 A16 上選擇不采用 High-NA EUV 光刻技術(shù)，但是到了 A14 會選擇加入。
根據(jù)配置的不同，High-NA EUV 光刻設(shè)備的價格約在 3.85 億美元起步，這將大大增加晶圓廠的成本。芯片制造商更傾向于重復利用現(xiàn)有的工具，所以臺積電也盡可能地避免使用 High-NA EUV 光刻設(shè)備，除非原有的 EUV 光刻系統(tǒng)無法繼續(xù)改進生產(chǎn)能力。與此同時，臺積電也在相關(guān)光刻材料上下功夫，以提高光刻工藝和良品率。
最近有 IBM 的研究人員表示，單次 High-NA EUV 的成本大概是普通 EUV 的 2.5 倍。直到目前為止，英特爾仍然是唯一一家致力于采用 High-NA EUV 光刻技術(shù)進行大批量生產(chǎn)的主要代工廠。
